电针对脑缺血再灌注大鼠脑组织细胞线粒体膜电位及凋亡的影响
- 作者单位
- 泰山医学院神经生物学研究室 泰安 (271000)
- 刊名
- 针刺研究
- 年份
- 2008
- 卷号
- 第33卷
- 期号
- 第2期
- 页码
- 107-111
- ISSN
- 1000-0607
- 分类号
- R245.97
- 摘要
- 目的:探讨针刺对脑缺血再灌注大鼠神经元保护作用的机制。方法:雄性SD大鼠36只,随机分为假手术组(Sham)、脑缺血再灌注组(CI/R)及脑缺血再灌注+电针组(CI/R+EA),每组12只。采用改良线栓法制备局灶性脑缺血(MCAO)再灌注模型。于再灌流开始后,CI/R+EA组电针水沟百会穴,电针参数:频率2~15 Hz,间断疏密波,电流强度1 mA,以局部肌肉轻微震颤为度,时间30 min。以罗丹明123和Annexin V-FITC进行荧光染色,通过流式细胞仪检测细胞内荧光强度,分析脑组织细胞线粒体膜电位及凋亡发生率的变化。结果:CI/R组大鼠大脑皮层细胞线粒体膜电位明显低于假手术组(P
- 基金 山东省自然科学基金
- 学科
- 【教育部学科】医学
- 文献类型
- 期刊
- 浏览量
- 38
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被引次数
超星被引:61;
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